Descripción
El parámetro de 808nm láser de diodo
Los elementos
Especificaciones
Tipo de láser
Láser semiconductor
Longitud de onda láser
808nm, 755nm, 1064nm pueden elegir
La densidad de potencia
0 ~ 160 J /cm2, Ajustable
Ancho de pulso de láser
50~400ms, Ajustable
Intervalo de pulso
1-5s, Ajustable
La interfaz de pantalla
Pantalla táctil de 8, 4 pulgadas a color
Tamaño de spot
10*10mm2 10*20mm2
La potencia de salida
2600W
Forma de pulso
Pulso largo
La refrigeración de contacto
La refrigeración de los semiconductores + Agua + refrigeración La refrigeración por aire
Fuente de alimentación
110/220V±10%, 60/50Hz
El parámetro de Nd Yag
Tipo de láser
Q-Switched Nd YAG
La longitud de onda
1320nm y 1064nm y 532nm
Diámetro de la Mancha
6-8mm
El sistema de refrigeración
El viento + Cerrado de refrigeración de circulación de agua
Mostrar
8.4 pulgadas de gran pantalla a color táctil
La energía del pulso
0-1600MJ
La frecuencia
1-10Hz(Adiustable)
La tensión
220V/110V, 50/60Hz
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